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新存科技推出新型存储器芯片

* 来源: JSSIA * 作者: admin * 发表时间: 2024/10/09 9:30:00 * 浏览: 9

据湖北日报消息,近日,新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)发布自主研发的国产新型三维存储器芯片NM101。该产品由新存科技与华中科技大学长合作研发。

 

NM101芯片属于相变存储器(PCM,Phase Change Memory)技术,与英特尔和美光合作开发的3DXPoint技术相似。这项技术的核心是在电阻变化原理的基础上,通过改变材料的相态来实现数据存储。NM101芯片采用的是SLC(单层单元)存储单元类型,其最高I/O速度为3200MT/s。NM101芯片的IO接口电压为1.2V,支持在0℃到+70℃的广泛温度范围内稳定运行。

 

新存科技总经理刘峻介绍,NM101芯片容量目前达64Gb,支持随机读写。该芯片可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低时延的新型存储解决方案。